焦作干式变压器中MOSFET功率计算

如果所述电阻和开关损耗平衡但还是太高，有几个处理方式：

改变题目设定。例如，重新设定输入电压范围;改变开关频率，可以降低开关损耗，且可能使更大、更低的RDS(ON)值的开关MOSFET成为可能;增大栅极驱动电流，降低开关损耗。MOSFET自身最终限制了栅极驱动电流的内部栅极电阻，实际上局限了这一方案;采用可以更快同时开关并具有更低RDS(ON)值和更低的栅极电阻的改进的MOSFET技术。

由于元器件选择数量范围所限，超出某一特定点对MOSFET尺寸进行精确调整也许不太可能，其底线在于MOSFET在最坏情况下的功率必须得以耗散。

热阻

再参考图1说明，确定是否正确选择了用于同步整流器和开关MOSFET的MOSFET迭代过程的下一个步骤。这一步骤计算每个MOSFET的环境空气温度，它可能导致达到假设的MOSFET结温。为此，首先要确定每个MOSFET的结与环境间的热阻(ΘJA)。

如果多个MOSFET使用，可以通过与计算两个或更多关联电阻的等效电阻相同的方法，计算其组合热阻。热阻也许难以估计，但测量在一简单PC板上的单一器件的ΘJA就相当容易，系统内实际焦作干式变压器的热性能难以预计，许多热源在竞争有限的散热通道。

让我们从MOSFET的ΘJA开始。对于单芯片SO-8MOSFET封装，ΘJA通常在62°C/W附近。对于其他封装，带有散热栅格或暴露的散热条，ΘJA可能在40°C/W和50°C/W之间(参见表)。计算多高的环境温度将引起裸片达到假设的TJ(HOT)：TAMBIENT=TJ(HOT)-TJ(RISE)

如果计算的TAMBIENT比封装最大标称环境温度低(意味着封装的最大标称环境温度将导致超过假设的MOSFETTJ(HOT))，就要采取以下一种或所有措施：

提高假设的TJ(HOT)(HOT，但不要超过数据参数页给出的最大值;通过选择更合适的MOSFET，降低MOSFET功率耗散;或者，通过加大空气流动或MOSFET周围的铜散热片面积降低ΘJA。更多详情敬请关注：http://www.lchft.com/